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簡(jiǎn)要描述：Oxford RIE反應(yīng)離子刻蝕機(jī)PlasmaPro 80是一種結(jié)構(gòu)緊湊、小尺寸且使用方便的直開(kāi)式系統(tǒng)，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置，便于使用，且能確保工藝性能。直開(kāi)式設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn)快速晶圓裝卸，是研究和小批量生產(chǎn)的理想選擇。 它通過(guò)優(yōu)化的電極冷卻和出色的襯底溫度控制來(lái)實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的工藝。
產(chǎn)品型號(hào)：廠商性質(zhì)：代理商更新時(shí)間：2025-08-19訪 問(wèn) 量：2559| 品牌 | 其他品牌 | 品牌 | 牛津儀器 |
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Oxford RIE反應(yīng)離子刻蝕機(jī)PlasmaPro 80
PlasmaPro 80是一種結(jié)構(gòu)緊湊、小尺寸且使用方便的直開(kāi)式系統(tǒng)，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置，便于使用，且能確保工藝性能。直開(kāi)式設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn)快速晶圓裝卸，是研究和小批量生產(chǎn)的理想選擇。 它通過(guò)優(yōu)化的電極冷卻和出色的襯底溫度控制來(lái)實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的工藝。
● 直開(kāi)式設(shè)計(jì)允許快速裝卸晶圓
● 出色的刻蝕控制和速率測(cè)定
● 出色的晶圓溫度均勻性
● 晶圓最大可達(dá)200mm
● 購(gòu)置成本低
● 符合半導(dǎo)體行業(yè) S2 / S8標(biāo)準(zhǔn)
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應(yīng) 用 ● III-V族材料刻蝕工藝 ● 硅 Bosch和超低溫刻蝕工藝 ● 類金剛石（DLC）沉積 ● 二氧化硅和石英刻蝕 ● 用特殊配置的PlasmaPro FA設(shè)備進(jìn)行失效分析的干法刻蝕解剖工藝，可處理封裝好的芯片, 裸晶片，以及200mm晶圓 ● 用于高亮度LED生產(chǎn)的硬掩模的刻蝕
系統(tǒng)特點(diǎn) ● 小型系統(tǒng) —— 易于安置 ● 優(yōu)化的電極冷卻系統(tǒng) —— 襯底溫度控制 ● 高導(dǎo)通的徑向（軸對(duì)稱）抽氣結(jié)構(gòu) —— 確保能提升工藝均勻性和速率 ● 增加<500毫秒的數(shù)據(jù)記錄功能—— 可追溯腔室和工藝條件的歷史記錄 ● 近距離耦合渦輪泵 —— 抽速高迅速達(dá)到所要求的低真空度 ● 關(guān)鍵部件容易觸及 ——系統(tǒng)維護(hù)變得直接簡(jiǎn)單 ● X20控制系統(tǒng)——大幅提高了數(shù)據(jù)信息處理能力， 并且可以實(shí)現(xiàn)更快更可重復(fù)的匹配 ● 通過(guò)前端軟件進(jìn)行設(shè)備故障診斷 —— 故障診斷速度快 ● 用干涉法進(jìn)行激光終點(diǎn)監(jiān)測(cè) —— 在透明材料的反射面上測(cè)量刻蝕深度 （例如硅上的氧化物），或者用反射法來(lái)確定非透明材料（如金屬）的邊界 ● 用發(fā)射光譜（OES）實(shí)現(xiàn)較大樣品或批量工藝的終點(diǎn)監(jiān)測(cè) —— 監(jiān)測(cè)刻蝕副產(chǎn)物或反應(yīng)氣體的消耗量的變化，以及用于腔室清洗的終點(diǎn)監(jiān)測(cè) |
RIE of InP waveguide | |
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7 µm polyimide feature RIE | ||
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Sub µm Si mesa etch | ||
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Deep Si feature etch by ICP-RIE cryo process |
Failure analysis - fast metal layer exposure in the PlasmaPro FA ICP | |
PTIQ是針對(duì)PlasmaPro和Ionfab工藝系統(tǒng)而開(kāi)發(fā)的最新智能軟件解決方案。
● 對(duì)響應(yīng)系統(tǒng)出色的控制水平
● 最da化系統(tǒng)性能與工藝性能
● 多級(jí)別軟件配置以匹配用戶需求
● 全新的視覺(jué)布局與設(shè)計(jì)界面
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