聚焦離子束和掃描電子顯微鏡 – FIB-SEM

簡要描述：蔡司 Crossbeam 將場發(fā)射掃描電子顯微鏡（FE-SEM）鏡筒的強大成像和分析性能與新一代聚焦離子束（FIB）的優(yōu)異加工能力相結(jié)合。無論是切割、成像或進行 3D 分析，Crossbeam 系列都能極大地提升您的應(yīng)用體驗。

產(chǎn)品型號：Crossbeam 350 /550
廠商性質(zhì)：代理商
更新時間：2025-09-07
訪問量：157

產(chǎn)品咨詢聯(lián)系我們

產(chǎn)品簡介

品牌	ZEISS/蔡司

專為高通量 3D 分析和樣品制備量身打造的 FIB-SEM蔡司 Crossbeam 將場發(fā)射掃描電子顯微鏡（FE-SEM）鏡筒的強大成像和分析性能與新一代聚焦離子束（FIB）的優(yōu)異加工能力相結(jié)合。無論是切割、成像或進行 3D 分析，Crossbeam 系列都能極大地提升您的應(yīng)用體驗。使用 Gemini 電子光學(xué)系統(tǒng)，您可以從掃描電子顯微鏡（SEM）圖像中獲取真實的樣品信息。Ion-sculptor FIB 鏡筒引入了全新的 FIB 加工方法，能夠減少樣品損傷，提升樣品質(zhì)量，從而加快實驗進程。

無論用于科研機構(gòu)還是工業(yè)實驗室，單用戶實驗室或多用戶實驗平臺，如果您想獲得高質(zhì)量，高影響力的實驗結(jié)果，蔡司 Crossbeam 的模塊化平臺設(shè)計可讓您根據(jù)自身需求的變化，隨時對儀器系統(tǒng)進行升級。

技術(shù)參數(shù)：

	蔡司 Crossbeam 350	蔡司 Crossbeam 550
掃描電子顯微鏡（SEM）	Gemini I 鏡筒	Gemini II 鏡筒
	可變氣壓選項	可選 Tandem decel
	電子束流：5 pA – 100 nA	電子束流：10 pA – 100 nA
聚焦離子束（FIB）	分辨率：3 nm @ 30 kV（統(tǒng)計方法）	分辨率：3 nm @ 30 kV（統(tǒng)計方法）
聚焦離子束（FIB）	分辨率：120 nm @ 1 kV & 10 pA（可選）	分辨率：120 nm @ 1 kV & 10 pA
探測器	Inlens SE、Inlens EsB、VPSE（可變壓力二次電子探測器）、SESI（二次電子二次離子探測器）、aSTEM（掃描透射電子探測器）、aBSD（背散射探測器）	Inlens SE、Inlens EsB、ETD（Everhard-Thornley 探測器）、SESI（二次電子二次離子探測器）、aSTEM（掃描透射電子探測器）、aBSD（背散射探測器）和 CL（陰極熒光探測器）
樣品倉規(guī)格和端口	標(biāo)準(zhǔn)樣品倉配有 18 個可配置接口	標(biāo)準(zhǔn)樣品倉配有 18 個可配置接口 / 大樣品倉配有 22 個可配置接口
載物臺	X /Y = 100 mm	X/Y = 100 mm / X/Y = 153 mm
	Z = 50 mm，Z' = 13 mm	Z = 50 mm，Z' = 13 mm / Z = 50 mm，Z' = 20 mm
	T = -4° 至 70°，R = 360°	T = -4° 至 70°，R = 360° / T = -15° 至 70°，R = 360°
電荷控制	電子束流槍	電子束流槍
	局部電荷中和器	局部電荷中和器
	可變壓力	-
氣體	單通道氣體注入系統(tǒng)：Pt、C、SiOx、W、H2O	單通道氣體注入系統(tǒng)：Pt、C、SiOx、W、H2O
氣體	多通道氣體注入系統(tǒng)：Pt、C、W、Au、H2O、SiOX、XeF2	多通道氣體注入系統(tǒng)：Pt、C、W、Au、H2O、SiOX、XeF2
存儲分辨率	32 k × 24 k（使用選配的 ATLAS 5 3D 斷層掃描模塊，可高達 50 k × 40 k）	32 k × 24 k（使用選配的 ATLAS 5 3D 斷層掃描模塊，可高達 50 k × 40 k）
可選分析附件	EDS、EBSD、WDS、SIMS，如有需要還可提供其它選件	EDS、EBSD、WDS、SIMS，如有需要還可提供其它選件
優(yōu)勢	因采用可變壓力模式及廣泛的原位實驗，可大幅擴大樣品兼容性。	以高通量完成分析與成像，且在各種條件下皆可獲得高分辨率。