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簡(jiǎn)要描述：Beneq TFS 200 專為學(xué)術(shù)和企業(yè)研發(fā)而設(shè)計(jì)，是一款用途廣泛的原子層沉積 （ALD） 平臺(tái)，可在真正的 ALD 模式下提供zhuo越的薄膜質(zhì)量。
產(chǎn)品型號(hào)：PD-220廠商性質(zhì)：代理商更新時(shí)間：2025-09-07訪 問(wèn) 量：100| 品牌 | Beneq | 價(jià)格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 能源,電子/電池,航空航天,汽車及零部件,綜合 |
Beneq TFS 200 專為學(xué)術(shù)和企業(yè)研發(fā)而設(shè)計(jì)，是一款用途廣泛的原子層沉積 （ALD） 平臺(tái)，可在真正的 ALD 模式下提供zhuoyue的薄膜質(zhì)量。
該系統(tǒng)的模塊化架構(gòu)允許進(jìn)行廣泛的升級(jí)，確保它可以隨著您的研究需求而發(fā)展，無(wú)論多么復(fù)雜。 Beneq TFS 200 支持在各種基板上沉積，包括晶圓、平面物體、多孔材料和具有高深寬比 （HAR） 功能的復(fù)雜 3D 結(jié)構(gòu)，即使在KE刻的應(yīng)用中也能實(shí)現(xiàn)精確鍍膜。
*的 PEALD 功能
Beneq TFS 200 標(biāo)配直接和遠(yuǎn)程等離子體增強(qiáng)原子層沉積 （PEALD）。利用電容耦合等離子體 （CCP） 源（行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)），它有助于從研發(fā)到生產(chǎn)環(huán)境的平穩(wěn)過(guò)渡。該系統(tǒng)支持在最大 200 mm 的基板上進(jìn)行 PEALD 工藝。
針對(duì)效率和精度進(jìn)行了優(yōu)化
• 純 ALD 模式經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可實(shí)現(xiàn)快速、精確的薄膜生長(zhǎng)
• HAR 功能適用于具有挑戰(zhàn)性的結(jié)構(gòu)，例如通孔和多孔襯底
• 冷壁真空室內(nèi)的熱壁反應(yīng)室，可實(shí)現(xiàn)均勻的熱量分布和快速的腔室更換
• 全面的升級(jí)選項(xiàng)，滿足高級(jí)研究需求
• 裝載鎖、盒式裝載機(jī)和手套箱，用于在受控氣氛下快速傳輸基板
產(chǎn)品 | TFS 200型 | TFS 500型 |
尺 寸： | 1325毫米 x 600毫米 x 1298毫米（L*W*H） | 1800毫米 x 900毫米 x 2033毫米（L*W*H） |
用 法： | 研究、生產(chǎn) | 研究、生產(chǎn) |
集 成： | 裝載鎖、盒式裝載機(jī)、集群或手套箱 | 裝載鎖、盒式裝載機(jī)、集群或手套箱 |
溫度范圍： | 25-500 °C | 25 – 500 °C |
極低蒸氣 壓前驅(qū)體: | 是的 | 是的 |
ALD 模式: | 熱原子層沉積、低流 HAR、流化床、遠(yuǎn)程等離子體 ALD、直接等離子體原子層沉積 | 熱 ALD、遠(yuǎn)程等離子體 ALD、直接等離子體 ALD |
技術(shù)信息：
示例應(yīng)用：
• 用于阻擋應(yīng)用的 Al2 O3 ALD
• 半導(dǎo)體應(yīng)用中的 HfO2、SiO2 和 SiN ALD
• 用于光伏電池的 SnO2 ALD
• 用于超導(dǎo)體應(yīng)用的 TiN 和 NbN ALD模塊
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